据韩媒ETNews动静，援引动静人士称，三星降服了SOCAMM2设计中的“翘曲”问题，这一难题曾经是其下一代AI办事器内存模块SOCAMM2（体系级进步前辈内存模块2）实现年夜范围出产前的一年夜障碍。报导还有指出，三星经由过程运用其自立研发的下一代低温焊料（LTS）技能，乐成解决了这一问题。 正如报导所指出的，翘曲是指组件于制造历程中因受热而孕育发生的稍微弯曲，其重要缘故原由是质料之间热膨胀系数（CTE）不匹配。SOCAMM2特别轻易呈现这类问题，由于它采用了一种布局：将LPDDR5X芯片组装成模块，并经由过程螺栓压紧固定，这增长了毗连掉效的危害。 报导指出，为解决这一问题，三星将焊接工艺温度从260℃以上降至150℃如下。经由过程年夜幅降低峰值温度，该公司乐成地将热膨胀不匹配征象降到了最低。 SOCAMM2 是一款要害的低功耗内存模块，旨于与 NVIDIA 下一代 AI 平台 Vera Rubin 中的 HBM 共同利用。报导还有指出，经由过程将 LTS 运用在 SOCAMM2，三星有望于开发及量产时间表上领先在竞争敌手。 除了了温度节制以外，三星还有推出了多项设计改良。据报导，芯片封装的布局从双塔式改成单塔式，以加强机械刚性；同时，对于环氧模塑化合物（EMC）的厚度及热膨胀机能举行了优化。还有采用了高精度仿真模子，以提高翘曲猜测的正确性。 据TheElec报导, SK海力士本年正加快向第六代（1c）DRAM转型。转向1c工艺估计将助力其AI内存产物组合的扩大，包括SOCAMM2。与此同时，中心日报报导称，3月初，美光已经出货全世界首批256GB SOCAMM2客户样品，其容量较三星电子及SK海力士的192GB旗舰产物晋升了约33%。
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